半导体用光刻胶
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产品名称 主要参数 特性 应用 下载
RD-2000系列

水分:<0.5%
颗粒(0.5um颗粒,个/ml):<100
痕量金属(K、Na、Fe,ppb):<300
膜厚:1.0~3.5um
分辨率:0.8um(g-line)

高感光度、高分辨率、高附着力
半导体照明领域的具体应用包括:图案化蓝宝石衬底(PSS)制作;LED芯片制作等。 集成电路领域的具体应用包括:集成电路芯片制作(涉及金属层、钝化层、离子注入层的光刻);集成电路先进封装等。
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RD-4000系列
水分:<0.5%
颗粒(0.5um颗粒,个/ml):<100
痕量金属(K、Na、Fe,ppb):<50
膜厚:1.0~4.5um
分辨率:0.4um(i-line曝光)
高感光度、高分辨率、高附着力
半导体照明领域的具体应用包括:图案化蓝宝石衬底(PSS)制作;LED芯片制作等。
集成电路领域的具体应用包括:集成电路芯片制作(涉及金属层、钝化层、离子注入层的光刻);集成电路先进封装等。
RD-6000系列
水分:<0.5%
颗粒(0.5um颗粒,个/ml):<100
痕量金属(K、Na、Fe,ppb):<100
膜厚:3.0~15um
分辨率:0.65um(i-line曝光)
高感光度、高分辨率、高附着力
半导体照明领域的具体应用包括:图案化蓝宝石衬底(PSS)制作;LED芯片制作等。
集成电路领域的具体应用包括:集成电路芯片制作(涉及金属层、钝化层、离子注入层的光刻);集成电路先进封装等。