半导体用光刻胶

水分：<0.5%
颗粒(0.5um颗粒，个/ml)：<100
痕量金属(K、Na、Fe，ppb)：<500
膜厚：1.8~4.5um
倒梯形角度：45~80°
分辨率：1um(g+h+i曝光)

高感光度、高分辨率、高附着力

半导体照明领域的具体应用包括：图案化蓝宝石衬底（PSS）制作；LED芯片制作等。
集成电路领域的具体应用包括：集成电路芯片制作（涉及金属层、钝化层、离子注入层的光刻）；集成电路先进封装等。